美国本文强调了局部激子态的热群在低 ΔVnr 系统中所起的关键作用。

【小结】综述所述，芯片分子控制的有机电化学策略已被证明可以通过Kolbe电解实现预金属化。图五、战争中彻NHPC//NMT和NHPC//NMT/AC-NaSIBs的性能（a-b）NMT和NMT/AC-Na正极在0.1Ag-1时的GCD分布。

底打（d-e）NHPC-800//NMT和NHPC-800//NMT/AC-NaSIBs在0.1Ag-1下的GCD分布。（e-h）在SIC系统中，垮苏APC/AC-Na正极循环前后的FTIR光谱、Na1s高分辨率光谱、C1s高分辨率光谱和O1s高分辨率光谱。游戏（c-d）三种甲酸盐在0.1Ag-1处的恒电流电荷分布和在0.5mVs-1处CV曲线。

产业（c）四种羧酸二钠电流密度为0.1Ag-1时的恒电流电荷分布。除上述优点外，关键预金属化技术还可以解决高活性碱金属引发的安全问题，是推动EES器件商业化的关键。

此外，美国分解电位的精确调节仍是正极添加剂发展的一大障碍，亟待解决。

总之，芯片该工作为先进的EES器件利用了由Kolbe电解引发的预金属化策略，芯片深入研究了牺牲添加剂的氧化电位与电子结构之间的关系，为合理设计所需的正极补偿试剂提供了指导原则。这些材料具有出色的集光和EnT特性，战争中彻这是通过掺杂低能红色发射铂的受体实现的。

此外，底打聚电解质水凝胶膜功能的良好可调性可系统地理解可控离子扩散机理及其对整体膜性能的影响。这样的膜设计大大促进了跨膜离子的扩散，垮苏有助于实现5.06Wm-2的高功率密度，这是基于纳米流体膜的渗透能转换的最高值。

这项工作展示了设计双极膜的策略，游戏并阐述了其在盐度梯度发电系统中的优越性。由于聚（芳基醚砜）的高分子量，产业该膜表现出良好的物理性能。