10月17日消息，部施智三星电子发布了一段视频，介绍了他们对于MicroLED的规划，并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。

(D)本研究中Sn0.91Pb0.09Se与最先进的p型热电材料之间的PF比较，门支从低温（T-excessBi0.5Sb1.5Te3,BST）到中温（MgAgSb,PbTe,空穴掺杂的SnSe）范围。文献链接：持中3Dchargeand2Dphonontransportsleadingtohighout-of-plane ZT inn-typeSnSecrystals（Science,2018,DOI:10.1126/science.aaq1479）2016年Science：持中超高功率因数和热电性能的空穴掺杂单晶SnSe随着世界上超过60%的能量作为余热在低温和中温范围内消失，目前迫切需要可以直接转换将热转化为电能的方案。

小企【图文导读】图1 多波段合成形成超高ZT值(A)两步多波段合成。热电转换的效率可以通过一个无量纲系数来估计，业实 ZT=S2σT/κ，其中S,σ, T和κ 分别表示塞贝克系数、电导率、工作温度和热导率。(D)ΔTmax用于31对热电器件，建造使用Sn0.91Pb0.09Se晶体和商用BST作为p型腿（均使用商用BTS作为n型腿）的31对热电器件的ΔTmax。

通过对其显著的电子和声子带结构的连续操纵，部施智SnSe晶体已被证明是优秀的热电材料。门支(B)Sn1–xPbxSe晶体的加权迁移率(μW)随温度的变化。

图6 Sn0.91Pb0.09Se晶体的热电冷却性能 (A,B)样品Sn0.91Pb0.09Se与最先进低温热电材料，持中如p型CsBi4Te6、持中商业Bi0.5Sb1.5Te3 (BST)、n型Mg3.2Bi1.498Sb0.5Te0.002和商业Bi2Te2.7Se0.3 (BTS)比较PF(A)和ZT型(B)。

因此，小企开发廉价无毒的高性能的热电材料对于提升热电材料的环保特性与应用价值具有重大意义。22、业实系统运行实时监控，独有冬季四级防冻超强探测装置。

18、建造供暖出水温度可实现40℃至85℃无级宽温调节。4、部施智按键式设计、轻松、温度调节触手可得。

5、门支加设生活热水舒适模式，更具个性化。16、持中故障自检：机器工作时，微电脑控制系统实时作各种工况自检，一旦发现有故障则以代码显示及报警音提示。